MOSFET具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快，工藝比較成熟等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。
關(guān)于MOSFET的驅(qū)動(dòng)，主要是根據(jù)電源IC及我們所要驅(qū)動(dòng)的MOS的參數(shù)來(lái)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。
在我們?cè)O(shè)計(jì)電源時(shí)，不僅要考慮考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流，還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。
一般MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：
1.在開(kāi)通瞬態(tài)，驅(qū)動(dòng)電路能夠提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源電壓迅速達(dá)到所需值;
2.MOSFET在導(dǎo)通期間，GS極電壓保持穩(wěn)定；
3.MOSFET關(guān)斷時(shí)驅(qū)動(dòng)電路能提供低阻抗通路保證MOSFET快速放電關(guān)斷；
4.驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單且低損耗；
5.根據(jù)應(yīng)用情況可隔離。
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式。
電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí)，需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力，這種驅(qū)動(dòng)電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，同時(shí)減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。
驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間,關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
除此之外還有隔離驅(qū)動(dòng),為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)，有時(shí)為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)等等，對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅(qū)動(dòng)電路是最好的，只有結(jié)合具體應(yīng)用，選擇最合適的驅(qū)動(dòng)。
總結(jié)：SPSEMI瞬雷電子可以提供30V-100V各電壓段電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOSFET，以及應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源高壓超JMOSFET，在性能功耗等方面具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。